防爆手電筒的發(fā)光原理及特性

更新時間：2020-04-15 點擊次數：3819

防爆手電筒的發(fā)光原理：發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結。因此它具有一般P-N結的I-N特性，即正向導通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數載流子（少子）一部分與多數載流子（多子）復合而發(fā)光。

防爆手電筒的特性：

（1）允許功耗Pm:允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。

（2）大正向直流電流IFm：允許加的大的正向直流電流。超過此值可損壞二極管。

（3）大反向電壓VRm：所允許加的大反向電壓。超過此值，發(fā)光二極管可能被擊穿損壞。

（4）工作環(huán)境topm:發(fā)光二極管可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二極管將不能正常工作，效率大大降低。

（5）打開電源時，不會產生火花，從而在危險空間不會因火花而發(fā)生爆炸的可能，達到防爆的效果，所以叫防爆手電。